LEMONA

Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A IXYS

Prekės kodas: IXFN140N30P
Nuotrauka yra tik iliustracija. Tikslias produkto specifikacijas rasite aprašyme.
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-4
54.5554.55
5-9
46.90
10+
44.75
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

54.55
2026-05-21 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2026-05-21 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra8 vnt.

Tiekėjo sandėlis

Lemona terminal

Naujiena! LEMONA electronics paštomatai, veikiantys 24/7

Naujiena! LEMONA electronics paštomatai, veikiantys 24/7 0

Užsakymai vykdomi darbo dienomis nuo 8:00 iki 17:00 val. Kai jūsų užsakymas bus paruoštas atsiėmimui, informuosime jus SMS žinute ir el. paštu. Paštomatą rasite šalia parduotuvės.
home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 70,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 70,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49 €

Iki 70,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,49 - 4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39 €

Prekės aprašymas

Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A IXYS

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-220723
Prekinis ženklas
Prekės kodas
IXFN140N30P

Tiekėjo prekės aprašymas

Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

Product code
IXFN140N30P
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXFN140N30P
Product ID
U-220723
Case
SOT227B
Drain current
110A
Drain-source voltage
300V
Electrical mounting
screw
Gate charge
185nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhancement
Manufacturer
IXYS
Mechanical mounting
screw
On-state resistance
24mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
700W
Pulsed drain current
300A
Reverse recovery time
200ns
Semiconductor structure
single transistor
Technology
HiPerFET™
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].