Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A STARPOWER SEMICONDUCTOR
Prekės kodas: GD30PJX65L2S
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,49 - 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39
Prekės aprašymas
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A STARPOWER SEMICONDUCTOR
Specifikacijos
SKU
U-2964929
Prekės kodas
GD30PJX65L2S
Tiekėjo prekės aprašymas
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Tiekėjo specifikacijos
Supplier's product code
GD30PJX65L2S
Product ID
U-2964929
Case
L2.2
Collector current
30A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Max. off-state voltage
650V
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
60A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
Trench FS IGBT
Type of semiconductor module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Product code
GD30PJX65L2S
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].